8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
2626.04 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
2597.84 RUR16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, напряжение 1.2 В
3355.59 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
799.95 RUR16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
6909.04 RUR16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
2826.56 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
236.07 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
193.93 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
448.69 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1605.06 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
269.48 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
193.17 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
441.76 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
227.72 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
345.17 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Silicon-Power / / / похожие
356.87 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
227.25 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Silicon-Power / / / похожие
451 RUR