Оперативная память samsung 64гб ddr4

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

4298.8 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40AB2-CWEC0

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

9408.82 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40CB4-CWE

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

3340.14 RUR

Оперативная память Huawei 64ГБ DDR4 2933МГц 06200329

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, напряжение 1.2 В

Huawei / / / похожие

3791.8 RUR

Оперативная память Huawei 64ГБ DDR4 2933 МГц 06200282

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, напряжение 1.2 В

Huawei / / / похожие

3795.44 RUR

Оперативная память Kingston 64ГБ DDR4 3200МГц KSM32RD4/64MFR

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Kingston / / / похожие

4028.3 RUR

Оперативная память Huawei 64ГБ DDR4 3200 МГц 06200323

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Huawei / / / похожие

3789.03 RUR

Оперативная память Hynix 64ГБ DDR4 2933 МГц HMAA8GR7MJR4N-WM

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

Hynix / / / похожие

3594.37 RUR

Оперативная память Kingston 64ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RD4/64HCR

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Kingston / / / похожие

4079.69 RUR

Оперативная память Micron 64ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF8G72PZ-3G2

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Micron / / / похожие

3392.39 RUR

Оперативная память HPE 64ГБ DDR4 3200 МГц P06035-B21

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

HPE / / / похожие

3764.52 RUR

Оперативная память Kingston 64ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RD4/64HD

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Kingston / / / похожие

4339 RUR

Оперативная память Micron 64ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF8G72PZ-3G2F1

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Micron / / / похожие

4429.54 RUR

Оперативная память Hynix 64ГБ DDR4 3200 МГц HMAA8GR7CJR4N-XN

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Hynix / / / похожие

3531.39 RUR

Оперативная память HP 64ГБ DDR4 2933 МГц P06192-001

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

HP / / / похожие

3420.09 RUR

Оперативная память Kingston 64ГБ DDR4 3200 МГц KTH-PL432/64G

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Kingston / / / похожие

7210 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

Samsung / / / похожие

8035.68 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 6400 МГц M321R8GA0PB2-CCP

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В

Samsung / / / похожие

11507.89 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWM

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

Samsung / / / похожие

10780.29 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0EB0-CWM

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В

Samsung / / / похожие

10723.96 RUR

Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 6400 МГц M321R8GA0EB2-CCP

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered по 64 ГБ, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В

Samsung / / / похожие

11073.09 RUR

Оперативная память Hynix 64ГБ DDR5 4800 МГц HMCG94AEBRA109N

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

Hynix / / / похожие

10262.11 RUR

Оперативная память Micron 64ГБ DDR5 5600 МГц MTC40F2046S1RC56BD1

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

Micron / / / похожие

17762 RUR

Оперативная память Micron 64ГБ DDR5 4800 МГц MTC40F2046S1RC48BA1

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.2 В

Micron / / / похожие

14159.4 RUR

Оперативная память Hynix 64ГБ DDR5 6400 МГц HMCG94AHBRA480N

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В

Hynix / / / похожие

10608.69 RUR

Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEGY

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

4532.32 RUR

Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

910.4 RUR

Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2K43EB1-CWE

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

1675 RUR

Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVF

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

2882.1 RUR

Оперативная память Samsung 128ГБ DDR4 3200 МГц M393AAG40M32-CAE

128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

7462.17 RUR

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

866.54 RUR

Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CTD

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

3388.6 RUR

Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

3192.3 RUR

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

368.93 RUR

Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

2919.01 RUR

Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

Samsung / / / похожие

3207.1 RUR