Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
866.45 RURОперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
508.17 RURОперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
460.56 RURОперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
2280.9 RURОперативная память Patriot 16GB DDR4 PC4-19200 [PSD416G24002H]
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
758.86 RURОперативная память ExeGate 16GB DDR4 PC4-21300 EX283083RUS
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
313.04 RURОперативная память Apacer 16GB DDR4 PC4-21300 AU16GGB26CRBBGH
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
418.28 RURОперативная память Apacer 16GB DDR4 PC4-21300 AU16GGB26CQYBGH
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
391.55 RURОперативная память Lenovo 16GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08708
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
1842.24 RURОперативная память Huawei 16GB DDR4 PC4-19200 [06200213]
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
1353.68 RURОперативная память Hynix 16GB DDR4 PC4-19200 HMA42GR7AFR4N-UH
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
576.12 RURОперативная память ExeGate HiPower 16GB DDR4 PC4-21300 EX288046RUS
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
368.41 RURОперативная память Crucial 16GB DDR4 SODIMM PC4-21300 CT16G4SFRA266
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
402.22 RURОперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-21300 SP016GBLFU266B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Silicon-Power / / / похожие
371.49 RURОперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PZ-3G2J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
404.13 RURОперативная память Apacer 16GB DDR4 SODIMM PC4-21300 AS16GGB26CRBBGH
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
420.55 RURОперативная память HP 838081-B21 16GB DDR4 PC4-21300
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
2275.74 RURОперативная память ADATA 16GB DDR4 PC4-25600 AD4U320016G22-SGN
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
464.94 RURОперативная память ExeGate Value 16GB DDR4 PC4-19200 EX283086RUS
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
336.51 RURОперативная память GOODRAM 16GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
552.06 RURОперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-25600 SP016GBLFU320X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Silicon-Power / / / похожие
635 RURОперативная память Foxline 16GB DDR4 PC4-25600 FL3200D4U22-16G
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
395.47 RURОперативная память HP 879507-B21 16GB DDR4 PC4-21300
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1265.34 RURОперативная память HP 16GB DDR4 PC4-23400 P00922-B21
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
1152.1 RURОперативная память HP 16GB DDR4 PC4-17000 [726719-B21]
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
1505.65 RUR