Оперативная память HP 32ГБ DDR4 2133 МГц 774175R-001
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц
2160.1 RURОперативная память HP 32ГБ DDR4 2666 МГц 850881R-001
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 22T, напряжение 1.35 В
2285.78 RURОперативная память HP 32ГБ DDR4 2933 МГц P06189-001
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
2312.97 RURОперативная память HP 32ГБ DDR4 3200 МГц P21674-001
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
2346.47 RURОперативная память HP 32ГБ DDR4 2400 МГц 819412R-001
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц
2201.63 RURОперативная память Lenovo 32ГБ DDR4 3200 МГц 4X77A08633
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
3915.81 RURОперативная память KingSpec 32ГБ DDR4 3200 МГц KS3200D4P13532G
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
811.73 RURОперативная память Lenovo 32ГБ DDR4 3200 МГц 4X77A77495
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
2695.34 RURОперативная память Digma 32ГБ DDR4 3200 МГц DGMAD43600032D
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
1037.84 RURОперативная память Digma 32ГБ DDR4 3200 МГц DGMAD43200032D
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
913.49 RURОперативная память Huawei 32ГБ DDR4 2933 МГц 06200288
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, напряжение 1.2 В
2778.32 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEGY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
4532.32 RURОперативная память Digma 32ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц DGMAS42666032D
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
733.39 RURОперативная память KingSpec 32ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц KS3200D4N12032G
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
701.02 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
2919.01 RURОперативная память Digma 32ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц DGMAS43200032D
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
759.57 RURОперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RS4/32HCR
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2259.84 RURОперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RD8/32MFR
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2489.95 RURОперативная память Kingston 32ГБ DDR4 2933 МГц KSM29RD4/32MRR
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
2694.3 RURОперативная память Hynix 32ГБ DDR4 3200 МГц HMA84GR7DJR4N-XN
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1823.96 RURОперативная память Micron 32ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF4G72PZ-3G2
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1838.27 RURОперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32ED8/32HC
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2298.82 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2738.29 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40DB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
4855.3 RURОперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RD4/32MRR
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2292.14 RURОперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RS4/32MFR
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2268.47 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWE
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
2490.34 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M391A4G43BB1-CWE
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
3078.46 RURОперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G43BB4-CWEGQ
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
5540.56 RURОперативная память Hynix 32ГБ DDR4 3200 МГц HMA84GR7CJR4N-XNT4
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52,
3322.27 RUR