4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
248.77 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
124.44 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
129.77 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
203.21 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
138.66 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
Silicon-Power / / / похожие
146.02 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Silicon-Power / / / похожие
182.22 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
603.67 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
413.05 RUR8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
105.11 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
178.43 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
214.77 RUR4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
129.35 RUR